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| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 化学式 | GaN |
| 分子量 | 83.73 g/mol |
| 晶体结构 | 六方晶系 |
| 导热系数 | 130 W/m·K |
| 硬度 | 9.0(莫氏硬度) |
| 断裂韧性 | 2.0 MPa·m1/2 |
GaN是一种具有优异性能的半导体材料。它具有高熔点、高硬度、高热导率等特点。同时,它还能够实现高电子迁移率和高饱和电子漂移速度,具有优异的电子和光学性能。此外,GaN还具有较宽的能隙,能在紫外光谱范围内发光。这使得它在光电子器件、高功率电子器件和光电子器件等领域有着广泛的应用。
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